Společnost Toshiba Memory Europe TME dnes oznámila uvedení svého nového řešení pamětí třídy Storage Class Memory SCM , XL-FLASH™. Je založena na vlastní inovativní 3D flash technologii BiCS FLASH™ s 1 bitem na buňku SLC a poskytuje nízkou latenci a vysoký výkon, který vyžadují datová centra a podniková úložná prostředí.
Řešení XL-FLASH, které je pamětí úložné třídy neboli nevolatilní pamětí, je schopno ukládat obsah podobně jako paměti NAND flash a překlenuje výkonnostní mezeru mezi pamětí DRAM a NAND. Paměť flash, včetně paměti DRAM, poskytuje rychlost přístupu k datům, kterou vyžadují náročné aplikace, ale za vysokou cenu. Pokud jsou náklady na bit u řešení DRAM příliš vysoké a škálovatelnost je ohrožena, řeší tento problém úroveň SCM v hierarchii úložišť, která poskytuje cenově výhodné řešení v podobě paměti NAND flash s vysokou hustotou. Analytická společnost IDC předpovídá, že trh se zařízeními SCM se v roce 2023 rozšíří na více než 3 miliardy dolarů[1].
V mezeře mezi pamětí DRAM a pamětí NAND flash nabízí paměť XL-FLASH vyšší rychlost, nižší latenci a větší úložnou kapacitu za nižší cenu než tradiční paměť DRAM. XL-FLASH bude zpočátku k dispozici ve formátu SSD, ale později může být implementována do paměťových zařízení s připojeným kanálem DRAM, jako jsou nevolatilní dvouřadé paměťové moduly NVDIMM , které by se v budoucnu měly stát průmyslovým standardem.
Klíčové vlastnosti:
– 128 gigabitový GB čip modul 2, 4 nebo 8 krystalů ;
– Velikost stránky 4K pro lepší efektivitu čtení a zápisu operačním systémem;
– 16sekční architektura pro efektivnější paralelní provoz;
– Nízké časy čtení a programování stránek: Paměť XL-FLASH vykazuje nízkou latenci čtení, která je nižší než 5 mikrosekund, což je přibližně 10× více než u stávajících pamětí TLC.
Jako tvůrce paměti NAND flash, první společnost, která zavedla technologii 3D flash, a lídr v oblasti přepínání procesů má Toshiba Memory díky své vyspělé výrobní infrastruktuře, osvědčené škálovatelnosti a spolehlivosti pamětí SLC nejlepší předpoklady pro uvedení zařízení SCM založených na pamětech SLC na trh.
XL-FLASH je nejvýkonnějším řešením NAND, které je dnes k dispozici díky naší flash paměti BiCS FLASH pracující v režimu SLC,“ řekl Axel Stoermann, viceprezident společnosti Toshiba Memory Europe. – Umístěním pouze jednoho bitu do buňky se nám podařilo výrazně zlepšit výkonnost. A protože paměť XL-FLASH je založena na osvědčených technologiích, které se již vyrábějí ve velkém, budou naši zákazníci díky použití paměti XL-FLASH jako řešení pro paměťovou třídu schopni zkrátit dobu uvedení na trh.
Dodávky zkušebních vzorků budou zahájeny v září 2023., a zahájení sériové výroby je naplánováno na rok 2023.
Jaká je přesná definice a charakteristika paměti XL-FLASH od společnosti Toshiba Memory?
XL-FLASH je nová generace paměti od společnosti Toshiba Memory, která nabízí vysokou kapacitu a rychlost přenosu dat. Tato paměť je navržena pro nasazení ve výkonných systémech, které vyžadují nízkou latenci a vysokou spolehlivost. XL-FLASH kombinuje výhody tradičních NAND flash a SLC (Single-Level Cell) pamětí, což umožňuje dosáhnout vynikajících výkonů až do desetinu latence oproti běžným 3D NAND pamětím. Díky této kombinaci XL-FLASH dosahuje vysokého výkonu při zpracování náročných úkolů a zároveň poskytuje velkou kapacitu pro ukládání dat. Navíc, XL-FLASH je navržena pro snadnou integraci a je kompatibilní s existujícími systémy. Je to ideální volba pro ty, kteří potřebují výkonnou a spolehlivou paměť pro své aplikace.
Společnost Toshiba Memory představuje paměť XL-FLASH, která je speciálně navržena pro ukládání dat. Máte nějaké konkrétní informace o rychlosti a kapacitě této paměti? Jaká je cena a kde je možné ji zakoupit? Děkuji.