Společnost Samsung Electronics, světový lídr v oblasti pokročilých paměťových technologií, oznámila hromadnou výrobu 250GB modulů SATA 256-Gigabit V-NAND s více než 100 vrstvami trojrozměrných buněk, které budou dodávány světovým výrobcům počítačů. Vývoj nové generace čipů V-NAND trval společnosti Samsung pouhých 13 měsíců, čímž se doba výroby zkrátila o čtyři měsíce a zároveň se jedná o nejvýkonnější, energeticky nejúspornější a nejsnáze vyrobitelné moduly.
Moduly V-NAND šesté generace společnosti Samsung jsou nejrychlejší v oboru a dokazují výrobní přednosti společnosti, které posouvají 3D paměti na další úroveň. Díky jedinečné technologii leptání kanálů společnosti Samsung mají nové čipy V-NAND přibližně o 40 % více buněk než 9x paměťové moduly předchozí generace. Toho se dosáhne vytvořením elektricky vodivé 136vrstvé struktury, po níž následuje vertikální propíchnutí válcových otvorů shora dolů, čímž vzniknou homogenní trojrozměrné buňky s technologií nábojové pasti CTF .
S rostoucí výškou matrice v každé buňce jsou čipy NAND flash náchylnější k chybám a zpožděním při čtení. K překonání tohoto omezení zavedla společnost Samsung obvody s optimalizovanou rychlostí, které umožňují maximální rychlost přenosu dat méně než 450 mikrosekund µs pro operace zápisu a méně než 45 µs pro operace čtení. V porovnání s předchozí generací dosahuje nový design více než 10% zvýšení výkonu při současném snížení spotřeby energie o více než 15 %.
Řešení V-NAND příští generace budou mít více než 300 vrstev a díky optimalizované konstrukci budou kombinovat tři buňky šesté generace, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo spolehlivosti čipu. Kromě toho nová generace 256GB čipu vyžaduje pouze 670 milionů průchodek, což je méně než 930 milionů průchodek u předchozí generace. Tím se snížila velikost čipu a počet výrobních kroků, čímž se zvýšila efektivita výroby o 20 %.
Díky vysokorychlostním funkcím s nízkou spotřebou hodlá společnost Samsung nejen rozšířit využití svých řešení 3D V-NAND do zařízení, jako jsou mobilní přístroje a podnikové servery, ale také je uvést na trh automobilů, kde je klíčová vysoká spolehlivost.
„Začleněním pokročilé technologie 3D pamětí do sériově vyráběných modelů jsme schopni představit paměťové řady s výrazně vyšší rychlostí a spotřebou energie,“ uvedl Kye Hyun Kyung, viceprezident pro flash paměti a technologie ve společnosti Samsung Electronics. – Díky zkrácení vývojového cyklu produktů V-NAND nové generace se těšíme na agresivní rozšíření trhu s našimi vysokorychlostními a vysoce výkonnými 512gigabitovými řešeními V-NAND.
Po uvedení 250GB SSD disku plánuje společnost Samsung v druhé polovině roku uvést na trh 512gigabitové SSD disky s trojitou pamětí V-NAND a systémem eUFS. Společnost také hodlá od příštího roku rozšířit výrobu vysokorychlostních řešení V-NAND šesté generace ve svém závodě v korejském Pyeongtaeku.
Jak se šestá generace 3D SSD disků V-NAND od společnosti Samsung liší od předchozích generací?
Jaké jsou hlavní výhody a technologické inovace šesté generace 3D SSD disků V-NAND od společnosti Samsung oproti předchozím generacím?
Hlavní výhody a technologické inovace šesté generace 3D SSD disků V-NAND od společnosti Samsung oproti předchozím generacím zahrnují vyšší kapacitu, rychlost, spolehlivost a efektivitu. Nová generace nabízí větší hustotu paměťových čipů, což umožňuje zvýšení kapacity disku. Díky pokročilé technologii 3D V-NAND je dosaženo rychlejšího přenosu dat a nižší latence. Tyto disky také nabízejí vyšší spolehlivost a odolnost vůči mechanickým poškozením. Díky pokročilým algoritmům a technologiím také zajišťují vyšší energetickou efektivitu a snižují spotřebu energie. To vše přináší výrazné zlepšení výkonu a rychlosti práce s daty.